檢索結果:共7筆資料 檢索策略: "劉顯光".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="化學機械平坦化"
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在化學機械平坦化 (Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)的製程當中,鑽石修整製通常用來修整拋光墊表面形貌以及維持工作能力,以確保製程中的…
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本研究主要是將化學機械拋光(Chemical Mechanical Planarization Process,CMP)拋光墊(Pad)與晶圓接觸之拋光墊粗度峰(Asperity)的彈性變形,由聚氨…
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本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統,透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上,利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描,利用自製軟體分析其表面訊號,計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
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隨著科技日新月異地進步,從今日的12吋晶圓至未來即將進入的新世代18吋晶圓,半導體產品已成為人類的生活不可或缺之必需品,並隨著曝光微影的線寬持續降低,化學機械平坦化已成為半導體製程中關鍵的技術。而製…
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本研究之目的為設計研發依商用拋光墊溝槽及其經過磨耗後之尺寸PDMS材料翻模複製的透明溝槽,並與玻璃黏合為一體之觀測模型,經過相似性轉換計算後利用粒子影像測速法(Particle Image Velo…
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本研究透過自行開發與改良的彩色共軛焦量測系統進行修整製程中,拋光墊表面形貌的量測;此外透過拋光墊修整軌跡模擬軟體,評估拋光墊之修整均勻性。實驗方法為固定修整器轉速15, 40, 65rpm對於拋光盤…
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化學機械平坦化/拋光(CMP)製程已被廣泛用於製造積體電路(IC)。為了使製造IC的成本降低,晶圓的尺寸越來越大,CMP製程就需要使用夠大的拋光墊。較大的拋光墊尺寸會導致在CMP製程中,拋光墊表面形…